Cristal ZnTe

Os cristais semicondutores terahertz GaSe e ZnTe apresentam alto limiar de dano ao laser e geram pulsos THz extremamente curtos e de alta qualidade usando lasers de femtosegundo de alta potência.


  • Preço FOB:US$ 0,5 - 9.999/peça
  • Quantidade mínima do pedido:100 peças/peças
  • Capacidade de fornecimento:10.000 peças/peças por mês
  • Fórmula de estrutura:ZnTe
  • Densidade :5,633g/cm³
  • Eixo de cristal:110
  • Detalhes do produto

    Parâmetro Técnico

    Cristais THz semicondutores: Cristais de ZnTe (Telureto de Zinco) com orientação <110> são usados ​​para geração de THz por processo de retificação óptica.A retificação óptica é uma geração de frequência diferencial em meios com grande suscetibilidade de segunda ordem.Para pulsos de laser de femtossegundos que possuem grande largura de banda, os componentes de frequência interagem entre si e sua diferença produz largura de banda de 0 a vários THz.A detecção do pulso THz ocorre através da detecção eletro-óptica em espaço livre em outro cristal ZnTe orientado <110>.O pulso THz e o pulso visível são propagados colinearmente através do cristal ZnTe.O pulso THz induz uma birrefringência no cristal ZnTe que é lida por um pulso visível linearmente polarizado.Quando o pulso visível e o pulso THz estão no cristal ao mesmo tempo, a polarização visível será girada pelo pulso THz.Usando uma placa de onda λ/4 e um polarizador divisor de feixe junto com um conjunto de fotodiodos balanceados, é possível mapear a amplitude do pulso THz monitorando a rotação de polarização do pulso visível após o cristal ZnTe em uma variedade de tempos de atraso em relação ao pulso THz.A capacidade de ler todo o campo elétrico, tanto amplitude quanto atraso, é uma das características atraentes da espectroscopia THz no domínio do tempo.ZnTe também é usado para substratos de componentes ópticos IR e deposição a vácuo.

    Propriedades Básicas
    Fórmula de estrutura ZnTe
    Parâmetros de rede uma = 6,1034
    Densidade 110