Ho: Cristais YAG

Ho: YAG Ho³⁺íons dopados em cristais de laser isolantes exibiram 14 canais de laser inter-variedades, operando em modos temporais de CW a modo bloqueado.Ho:YAG é comumente usado como um meio eficiente para gerar emissão de laser de 2,1 μm a partir do⁵I₇-⁵I₈transição, para aplicações como sensoriamento remoto a laser, cirurgia médica e bombeamento de OPOs Mid-IR para atingir emissão de 3-5 mícrons.Os sistemas bombeados por diodo direto e o sistema bombeado Tm: Fiber Laser demonstraram eficiências de alta inclinação, algumas se aproximando do limite teórico.

Distorção de frente de onda:L/8 por polegada @633nm

Taxa de extinção:>28dB

Tolerância:Hastes com diâmetro:(+0、-0,05)mm,(±0,5)mm

Qualidade da superfície:10/5 Raspar/escavar conforme MIL-O-1380A

Paralelismo:Paralelismo

Perpendicularidade: <5 minutos de arco

Abertura:>90%

Planicidade:λ/10 @ 633nm

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Detalhes do produto

Parâmetros técnicos

Relatório de teste

Propriedades Básicas

Faixa de concentração Ho3+	0,005 – 100% atômico
Comprimento de onda de emissão	2,01 hum
Transição Laser	⁵I₇→⁵I₈
Florescência vitalícia	8,5ms
Comprimento de onda da bomba	1,9 hum
Coeficiente de expansão térmica	6,14 x 10^-6 K^-1
Difusividade térmica	0,041 centímetros² s^-2
Condutividade térmica	11,2 W·m^-1 K^-1
Calor Específico (Cp)	0,59Jg^-1 K^-1
Resistente ao choque térmico	800 W·m^-1
Índice de refração @ 632,8 nm	1,83
Ponto de fusão	1965℃
Densidade	4,56gcm^-3
Dureza MOHS	8h25
Módulo de Young	335 GPa
Estrutura de cristal	Cúbico
Orientação Padrão	<111>
Simetria do local Y3+	D₂
Estrutura constante	uma=12,013Å

Parâmetros técnicos

Distorção de frente de onda	L/8 por polegada @633nm
Taxa de extinção	>28dB
Distorção de frente de onda	L/8 por polegada @633nm
Taxa de extinção	>28dB
Tolerância: Hastes com diâmetro	(+0、-0,05)mm,(±0,5)mm
Qualidade da superfície	10/5 Raspar/escavar conforme MIL-O-1380A
Paralelismo	<10 segundos de arco
Perpendicularidade	<5 minutos de arco
Abertura	>90%
Planicidade	λ/10 @ 633nm
Tolerância：Hastes com diâmetro	(+0、-0,05)mm,(±0,5)mm
Qualidade da superfície	10/5 Raspar/escavar conforme MIL-O-1380A
Paralelismo	<10 segundos de arco
Perpendicularidade	<5 minutos de arco
Abertura	>90%
Planicidade	λ/10 @ 633nm