KD*P EO Q-Switch

Tensão de onda de 1/4:3,3kV

Erro frontal de onda transmitida: <1/8 Onda

RCI:>2000:1

VCR:>1500:1

Capacitância:6pF

Limite de dano:> 500 MW/cm2 @1064nm, 10ns

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Detalhes do produto

Parâmetros técnicos

O EO Q Switch altera o estado de polarização da luz que passa por ele quando uma tensão aplicada induz mudanças de birrefringência em um cristal eletro-óptico como o KD*P.Quando usadas em conjunto com polarizadores, essas células podem funcionar como interruptores ópticos ou interruptores Q de laser.
Fornecemos EO Q-Switches com base em tecnologia avançada de fabricação de cristal e revestimento, podemos oferecer uma variedade de comprimentos de onda de laser EO Q-Switches que exibem alta transmissão (T> 97%), alto limiar danificado (> 500W / cm2) e alta taxa de extinção (>1000:1).
Formulários:
• Sistemas laser OEM
• Lasers médicos/cosméticos
• Plataformas laser versáteis de P&D
• Sistemas laser militares e aeroespaciais

Características	Benefícios
Qualidade CCI – preço econômico	Valor excepcional
O melhor KD*P sem tensão	Alta taxa de contraste
	Alto limite de dano
	Baixa tensão de 1/2 onda
Espaço eficiente	Ideal para lasers compactos
Aberturas de cerâmica	Limpo e altamente resistente a danos
Alta taxa de contraste	Suspensão excepcional
Conectores elétricos rápidos	Instalação eficiente/confiável
Cristais ultraplanos	Excelente propagação de feixe